Toshiba запускає 650 В SiC MOSFET у пакетах TOLL для зарядки електромобілів та силової електроніки

Toshiba запускає 650 В SiC MOSFET у TOLL корпусах для зарядки електромобілів та силової електроніки

Нові 650 В SiC MOSFETs від Toshiba: зменшені втрати і покращена енергоефективність

Якщо ви слідкуєте за новинками у сфері силової електроніки, вам буде цікаво дізнатися, що Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation випустила три нові 650 В SiC метал-оксид-напівпровідникові транзистори (MOSFETs) з новітньою третього покоління технологією SiC. Ці транзистори вже здатні поповнити ваші проекти з серпня 2025 року.

Інновації в корпусі

Цікавою особливістю цих пристроїв є їхнє розташування у корпусах TOLL для поверхневого монтажу, які зменшують об’єм на понад 80% у порівнянні зі стандартними корпусами типу TO-247. Це значно підвищує коефіцієнт густини потужності обладнання та підтримує автоматизоване виробництво.

Покращена ефективність

Сучасний пакет TOLL пропонує знижений паразитний імпеданс, що призводить до зменшення втрат на перемикання. З чотирьохтермінальним з’єднанням, TOLL забезпечує наявність сигнальної клеми Кельвіна, що мінімізує вплив індуктивності на керування затворами та дозволяє досягти вищих швидкостей перемикання. Наприклад, модель TW048U65C має на 55% нижчі втрати на включення та на 25% нижчі втрати на вимкнення в порівнянні з попереднім поколінням.

Оптимальне співвідношення

Нова лінійка MOSFETs характеризується оптимізованими співвідношеннями дрейфу та опору каналу, що покращує температурну залежність опору стік-виток. Крім цього, технічні характеристики включають низький опір стік-виток на заряд ємності затвор-стік та типову напругу прямої діодної напруги (VDSF) у -1.35 В при VGS = -5 В.

Цільові застосування

Нові SiC MOSFETs підходять для різноманітних промислових застосувань, але перш за все вони націлені на станції зарядки електромобілів та фотоелектричні інвертори. Це також ідеальне рішення для блоків живлення з перемиканням у дата-центрах, серверах, комунікаційному обладнанні та безперебійних джерелах живлення.

Ці новаторські рішення від Toshiba стають ще одним кроком вперед у зменшенні енергетичних втрат та збільшенні ефективності силових пристроїв, що забезпечує перспективу для широкого застосування у сучасній промисловій електроніці.

Схожі записи